职位描述1.负责嵌入式非易失性存储器（NVM）IP的架构定义与全流程电路设计，覆盖eFUSE, eFlash, 等主流存储类型，以及MRAM、RRAM等新型存储技术 2.指导版图工程师完成NVM存储器阵列及外围模拟模块的版图设计 3.支持NVM IP DK的生成，包括verilog, Liberty，datasheet, bitmap等 4.支持相关NVM testchip的设计以及测试任职要求1.拥有微电子方向或相关专业学士或硕士学位。至少3年模拟及混合信号晶体管级电路设计的直接经验。 2.具备eFUSE/eFlash/MRAM/RRAM一项或多项存储器设计经验 3.熟练使用主流模拟设计EDA工具，包括Cadence Virtuoso、Spectre、HSPICE、XA、FINESIM等，进行全定制电路设计与仿真 4.拥有NVM相关芯片的测试、失效分析等方面的经验优先。 5.熟悉CMOS、Fin-FET和FD-SOI等先进工艺节点，具备跨工艺节点设计经验 6.具备优秀的中英文技术文档读写能力，以及良好的沟通协调能力，能够与版图、测试、系统等团队高效合作。
