职位描述工作职责包括但不限于： 1.负责一套4英寸两腔分子束外延设备的运行、维护、升级、改造等工作； 2.负责基于高迁移率III-V族InAs、InSb二维电子气样品及与超导薄膜异质结构样品的分子束外延生长和性质表征； 3.负责高迁移率GaAs二维电子气样品的生长及相关器件的开发； 4.开发基于III-V族半导体的新分子束外延制备技术； 5.协助团队负责人进行项目申请、管理等工作。任职要求1.具有物理学博士学位，有分子束外延研究背景的优先； 2.具有至少2年使用大型分子束外延设备的经验； 3.具有至少2年生长高迁移率III-V族半导体薄膜和异质结构的经验； 4.具有的良好团队合作精神，善于与他人交流沟通、协同工作。
