1.搭建3D IC Die级热模型，准确预测3D IC Die 内热点分布、温度梯度及热瓶颈位置，规避架构设计阶段的潜在热风险。
2.针对3D IC Die间热串扰、堆叠高热阻等问题，输出可落地的解决方案（如 TSV、RDL结构布局调整、高导热材料选型、Die分区功率管控策略等）。
3.制定芯片多场景（常温、高温、满负载等）热测试方案，对比分析仿真数据与实测结果，迭代优化芯片热模型精度（如修正材料热导率、Die间热阻参数等）。
4.定义芯片热阻Rjc，输出3D IC芯片热阻网络，功率映射（Power Mapping）等模型，供系统热设计使用。
5.与芯片架构、IC设计、封装、测试验证团队高效协同，推动跨领域解决热相关技术问题（如DFT热测试点布局规划，芯片架构方案调整、封装散热匹配优化等）。
6.编制3D IC Die级热设计规范，制定仿真和测试的标准化流程，保障芯片热设计的一致性。
7.快速定位量产阶段 3DIC 芯片热问题（如算力降频、局部过热），并制定对应的解决方案。
8.跟踪3D IC前沿热设计技术（如3D集成微流道冷却），牵头开展技术预研与可行性验证，推动新技术在公司3D堆叠芯片项目中的落地应用，同步沉淀技术专利与知识资产。
任职要求
1.本科及以上学历，微电子、半导体物理、热能与动力工程、工程热物理、集成电路等相关专业；硕士学历及以上者优先。
2.3年及以上芯片热设计相关工作经验，具备至少1年3D IC芯片项目热设计经验（含3D堆叠、Chiplet异构集成、HBM共封装等）；有AI芯片、GPU等高性能芯片3D IC热设计经历者优先。
3.了解芯片开发工具链，深度理解3D IC技术（如2.5D/3D CoWoS、Hybrid-Bonding、Chiplet异构集成），熟悉不同架构下的热传导路径与热串扰特性，以及相关问题的解决方案。
4.熟练使用至少1种热仿真工具（ANSYS Icepak，Flotherm等），能独立搭建3D IC Die级热模型，包含TSV硅通孔、Hybrid-Bonding、RDL等关键结构。
5.掌握3D IC Die级热性能测试方法，如微型热电偶测温、T3Ster 热阻测试。
6.具备良好的沟通能力和团队协作能力，工作严谨细致，具备较强的技术攻坚能力与自我驱动意识。
