职位描述NVM 存储设计工程师 1.负责嵌入式非易失性存储器（NVM）IP的架构定义与全流程电路设计，覆盖eFUSE, eFlash, 等主流存储类型，以及MRAM、RRAM等新型存储技术； 2.指导版图工程师完成NVM存储器阵列及外围模拟模块的版图设计； 3.支持NVM IP DK的生成，包括verilog, Liberty，datasheet, bitmap等； 4.支持相关NVM testchip的设计以及测试。 SRAM存储设计工程师 1.负责各工艺节点下嵌入式SRAM IP的架构定义与全流程电路设计，覆盖SP SRAM， DP SRAM, Register File及ROM等多种存储类型； 2.指导版图工程师完成SRAM 存储器阵列及外围模拟模块的版图设计； 3.支持SRAM Compiler的开发和维护； 4.支持SRAM IP DK的生成，包括verilog, Liberty，datasheet, bitmap等； 5.支持相关SRAM testchip的设计以及测试。任职要求1.微电子方向或相关专业的本科，硕士或博士研究生，具备一定的模拟及混合信号晶体管级电路设计的直接经验； 2.具备eFUSE/eFlash/MRAM/RRAM一项或多项存储器设计经验优先； 3.熟练使用主流模拟设计EDA工具，包括Cadence Virtuoso、Spectre、HSPICE、XA、FINESIM等，进行全定制电路设计与仿真； 4.熟悉CMOS、Fin-FET和FD-SOI等先进工艺节点，具备跨工艺节点设计经验； 5.具备优秀的中英文技术文档读写能力，以及良好的沟通协调能力，能够与版图、测试、系统等团队高效合作。
